Ｑ：メモリを増設したPowerBook G3 Series 1999 (Bronze Keyboard)にMac OS Xをインストールしようとすると、途中でフリーズしてしまいます。純正メモリだけならインストールできます。増設方法はありますか？

PowerBook G3 Series 1999から純正メモリを取り外すとバスエラーが出ます。下のスロットのメモリ交換はできますか？

547_Lombard's bottom SO-DIMM slot

PowerBook G3 Series 1999 (bronze Keyboard)のbottom側メモリには1.5インチまでのSO-DIMMが増設できる。これまでも、Wallstreet,LombardにPISMO/iBook用メモリの全ては使用できませんのように、搭載できるメモリに制限はあったが、それ以外にもLombardに特有な問題が隠されているようだ。

548_60x Bus throughput of Lombard and Wallstreet

クロックアップして同じ条件にしたWallstreetとLombardのメモリ転送速度の違い。同じFSBであるにも関わらず、Lombardの方が20%優れている。言い換えれば、その分メモリ周りに要求される性能は高いということになる。

Lombardでの動作

問題なし

単独使用、下側スロットでは動作不良をおこす。

単独、増設で問題なし。下側には物理的に装着できない。

Byte

項目

実データ

意味

実データ

意味

実データ

意味

0

SPD使用量

80

128byte

80

128byte

80

128byte

1

SPD総容量

08

256byte

08

256byte

08

256byte

2

Memory Type

04

SDRAM

04

SDRAM

04

SDRAM

3

row addressの幅（bit)

0C

12

0C

12

0C

12

4

column addressの幅（bit）

09

9

0A

10

09

9

5

モジュールのrow数

01

1 Row

02

2 Row

02

2 Row

6

データ幅（LSB）

40

64bit

40

64bit

40

64bit

7

データ幅（MSB）

00

-

00

-

00

-

8

インターフェース信号レベル

01

LVTTL

01

LVTTL

01

LVTTL

9

CLKサイクル時間（tclk）

A0

10ns

80

8ns

A0

10ns

10

CLKアクセス時間(Tac)

70

7ns

60

6ns

60

6ns

11

ECC、パリティの有無

00

なし

00

なし

00

なし

12

リフレッシュタイプ

80

標準タイム、自動リフレッシュをサポート

80

標準タイム、自動リフレッシュをサポート

80

標準タイム、自動リフレッシュをサポート

13

初期SDRAMの幅

08

×8

08

×8

08

×8

14

SDRAMの幅のエラーチェック

00

なし

00

なし

00

なし

15

Read/Write-Read/Writeコマンド間隔
(Tccd)

01

1 CLK

01

1 CLK

01

1 CLK

16

サポートするBurst転送の種類

8F

1,2,4,8およびPage

8F

1,2,4,8およびPage

8F

1,2,4,8およびPage

17

bank数

04

4 Bank

04

4 Bank

04

4 Bank

18

CAS latency

06

CL2,3

06

CL2,3

06

CL2,3

19

CS latency

01

0 CLK

01

0 CLK

01

0 CLK

20

書き込み latency

01

0 CLK

01

0 CLK

01

0 CLK

21

バッファーの有無

00

なし

00

なし

04

オンボードクロック供給可能

22

プリチャージのサポートの有無など

0E

すべてコマンドでプリチャージをサポート。バースト読み込みをサポートしている。

0E

すべてコマンドでプリチャージをサポート。バースト読み込みをサポートしている。

0F

すべてコマンドでプリチャージをサポート。バースト読み込みをサポートしている。

23

2番目のアクセス時の最短サイクル時間

D0

40ns

A0

10ns

F0

60ns

24

2番目のアクセス時のTac

70

7ns

60

6ns

80

8ns

25

3番目のアクセス時の最短サイクル時間

00

未定義

00

未定義

00

未定義

26

3番目のアクセス時のTac

00

未定義

00

未定義

00

未定義

27

Precharge-Activeコマンド間隔（Trp)

18

24ns

14

20ns

14

20ns

28

Active-Activeコマンド間隔(Trrd)

14

20ns

14

20ns

14

20ns

29

Active-Read/Writeコマンド遅れ時間
(Trcd)

18

24ns

14

20ns

14

20ns

30

Active-Prechargeコマンド間隔(Tras)

32

50ns

32

50ns

32

50ns

31

バンク容量

10

64Mbyte

20

128Mbyte

10

64Mbyte

32

アドレス・コマンド
入力セットアップ時間

00

0ns (未定義と思われる）

20

2ns

20

2ns

33

アドレス・コマンド
入力ホールド時間

00

0ns (未定義と思われる）

10

1ns

10

1ns

34

データ入力セットアップ時間

00

0ns (未定義と思われる）

20

2ns

20

2ns

35

データ入力ホールド時間

00

0ns (未定義と思われる）

10

1ns

10

1ns

36-61

予約領域

00...00

00...00

00..00

62

SPDレビジョン

01

PC100 SPD Spec.Ver.0.1

12

PC100 SPD Spec.Ver.1.2

12

PC100 SPD Spec.Ver.1.2

63

0〜62byteまでのチェックサム

EC

F7

7B

64-125

製造会社による領域。製品名など

"KMM4 66S 823CT2-F02C"

""

"GM72V66841CT7J"

126

PC100の適合についての可否

66

PC66対応

64

PC100対応、この値が66の場合PC66となる。

66

PC66対応

127

PC100適合の詳細

06

CL2,3のサポートはあるが、Intelの推奨ではない。

C7

Single sideのDIMMで、CL2,3のサポートがあって、Intelのレコメンドに合致する。

C7

Single sideのDIMMで、CL2,3のサポートがあって、Intelのレコメンドに合致する。

Lombardでの動作

単独、増設、上下スロットいずれも問題なし。

単独、増設、上下スロットいずれも問題なし。

Byte

項目

実データ

意味

実データ

意味

0

SPD使用量

80

128byte

80

128byte

1

SPD総容量

08

256byte

08

256byte

2

Memory Type

04

SDRAM

04

SDRAM

3

row addressの幅（bit)

0C

12

0C

12

4

column addressの幅（bit）

0A

10

0A

10

5

モジュールのrow数

01

1 Row

02

2 Row

6

データ幅（LSB）

40

64bit

40

64bit

7

データ幅（MSB）

00

-

00

-

8

インターフェース信号レベル

01

LVTTL

01

LVTTL

9

CLKサイクル時間（tclk）

A0

10ns

A0

10ns

10

CLKアクセス時間(Tac)

80

8ns

60

6ns

11

ECC、パリティの有無

00

なし

00

なし

12

リフレッシュタイプ

80

標準タイム、自動リフレッシュをサポート

80

標準タイム、自動リフレッシュをサポート

13

初期SDRAMの幅

08

×8

08

×8

14

SDRAMの幅のエラーチェック

00

なし

00

なし

15

Read/Write-Read/Writeコマンド間隔
(Tccd)

01

1 CLK

01

1 CLK

16

サポートするBurst転送の種類

8F

1,2,4,8およびPage

8F

1,2,4,8およびPage

17

bank数

04

4 Bank

04

4 Bank

18

CAS latency

06

CL2,3

06

CL2,3

19

CS latency

01

0 CLK

01

0 CLK

20

書き込み latency

01

0 CLK

01

0 CLK

21

バッファーの有無

00

なし

00

なし

22

プリチャージのサポートの有無など

0E

すべてコマンドでプリチャージをサポート。バースト読み込みをサポートしている。

0E

すべてコマンドでプリチャージをサポート。バースト読み込みをサポートしている。

23

2番目のアクセス時の最短サイクル時間

D0

40ns

A0

10ns

24

2番目のアクセス時のTac

80

8ns

60

6ns

25

3番目のアクセス時の最短サイクル時間

00

未定義

00

未定義

26

3番目のアクセス時のTac

00

未定義

00

未定義

27

Precharge-Activeコマンド間隔（Trp)

1E

30ns

14

20ns

28

Active-Activeコマンド間隔(Trrd)

1E

30ns

14

20ns

29

Active-Read/Writeコマンド遅れ時間
(Trcd)

1E

30ns

14

20ns

30

Active-Prechargeコマンド間隔(Tras)

32

50ns

32

50ns

31

バンク容量

20

128Mbyte

20

128Mbyte

32

アドレス・コマンド
入力セットアップ時間

20

2ns

20

2ns

33

アドレス・コマンド
入力ホールド時間

10

1ns

10

1ns

34

データ入力セットアップ時間

20

2ns

20

2ns

35

データ入力ホールド時間

10

1ns

10

1ns

36-61

予約領域

00...00

00...00

62

SPDレビジョン

01

PC100 SPD Spec.Ver.0.1

12

PC100 SPD Spec.Ver.1.2

63

0〜62byteまでのチェックサム

00

17

64-125

製造会社による領域。製品名など

""

"M4 64S3323CN0-L1H"

126

PC100の適合についての可否

66

PC66対応

64

PC100対応、この値が66の場合PC66となる。

127

PC100適合の詳細

06

CL2,3のサポートはあるが、Intelの推奨ではない。

CF

Single sideのDIMMで、CL2,3のサポートがあって、Intelのレコメンドに合致する。

549_SPD data of Genuine memory and Extended memorys made by 3rd party

純正メモリと、増設メモリのSPDの違い。動作不良を起こしたGH-SNW256Wと、動作したGH-SDG128Mは同じメーカー製であるが、SPDの内容に違いがある。PC66対応か否かは大きな問題ではなく、この場合23バイト目のデータの違いに問題があると思われる。

550_256Mbyte 1.25inch SO-DIMM Module

マックメム.com社が特にPowerBook G3 Series 1998,1999用の下側メモリスロット用256メガバイトSO-DIMMとして販売しているもの。動作不良を起こしたGH-SNW256Wと同じ、128bit SDRAM(4MB x 8Bit x 4 Banks構成)で、23バイト目が10nsと短いにのだが、こちらは問題なかった。

原因、回避法はまだ不明です。

Lombardの一部に、メモリを増設するとMac OS Xがインストールできないという問題が報告されています。

また、純正メモリを取り外すとMac OS 9が起動途中でバスエラーを起こしてしまうという報告もあります。

前者は純正メモリのみなら問題はありませんが、インストール後メモリを増設するとMac OS Xが不安定で、動作中にフリーズしてしまうなどの不具合があるそうです。

この2つの問題は、別のようにも思えますが、一つの重要な共通点があります。要するに純正メモリでは不具合が起きないということです。

そこで、Mac OS　9.1で不具合を起こすというメモリを読者から送っていただき、検証してみました。

この不具合を起こすメモリは、547_Lombard's bottom SO-DIMM slotの下側と、上側の両方のメモリスロットに装着することができる1.25インチ、256メガバイトSO-DIMMのGH-SNW256Wです。このメモリは、単独で使用すると起動しませんが、下側に純正メモリを装着すれば起動し、動作します。しかし、上下を入れ替えると起動しません。

また、548_60x Bus throughput of Lombard and Wallstreetに示すように、Lombardの方が60xバスの要求基準が高いという事実があります。

549_SPD data of Genuine memory and Extended memorys made by 3rd partyをみると、動作不良と、動作可能なメモリの違いは23バイト目の「2番目のアクセス時の最短サイクル時間」、要するに一度目の読み書き要求からの待ち時間が短かくてもよい、というものが動作不良を起こしているように見えます。

そこで仮説を立てました

(1)　Lombardは、bottom側スロットに装着するメモリの SPDの値で、メモリコントローラーのタイミングがプログラムされる。

(2)　SPDの値が良すぎると、一部のLombardに使われているメモリコントローラーが追いつかず、動作不良を起こす。

(3)　症状が通常は出なくても、Mac OS Xのように、メモリへの要求の高いOSでは不具合が顕著化する。

というものです。

しかし、550_256Mbyte 1.25inch SO-DIMM Moduleは、この値が10ns、短いにも関わらず、動作に不安はありませんでした。一筋縄にはいかないようですね。

Intel: PC SDRAM Serial Presence Detect (SPD)　Specification（PFD）

Wallstreet,LombardにPISMO/iBook用メモリの全ては使用できません